Infineon представляет технологию производства пластин из нитрида галлия на подложке 300 мм для силовой электроники

Немецкий производитель полупроводников Infineon Technologies AG (IFNNY) представил первую в мире технологию создания пластин мощных полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) диаметром 300 мм. news.instaforex.com »