Infineon представляет технологию производства пластин из нитрида галлия на подложке 300 мм для силовой электроники

Немецкий производитель полупроводников Infineon Technologies AG (IFNNY) представил первую в мире технологию создания пластин мощных полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) диаметром 300 мм.

Ожидается, что это новаторское достижение значительно ускорит развитие рынка полупроводников на основе GaN.

Infineon планирует продемонстрировать первые 300 мм пластины GaN на выставке electronica в ноябре 2024 года в Мюнхене.

Компания подчеркнула, что производство чипов на пластинах диаметром 300 мм представляет собой значительный технологический шаг вперед и является гораздо более эффективным по сравнению с пластинами диаметром 200 мм. Увеличение диаметра пластин позволяет получить в 2,3 раза больше чипов с одной пластины.

Infineon успешно произвела 300 мм пластины GaN, используя интегрированную пилотную линию на своем существующем производственном объекте для кремниевых пластин диаметром 300 мм в Филлахе, Австрия.

Технология GaN диаметром 300 мм может использовать существующее оборудование для производства кремниевых пластин того же диаметра, так как производственные процессы для нитрида галлия и кремния весьма схожи.

Infineon подчеркнула, что ее текущие производственные линии для кремниевых пластин диаметром 300 мм, работающие в массовом масштабе, идеально подходят для пилотного производства надежной технологии GaN.

Компания намерена далее увеличивать мощность производства GaN в ответ на рыночный спрос.

Полупроводники на основе GaN быстро внедряются в различных секторах, включая промышленность, автомобильную отрасль, потребительские товары, вычислительную технику и коммуникационные приложения. Эти приложения охватывают источники питания для систем искусственного интеллекта, солнечные инверторы, зарядные устройства и адаптеры, а также системы управления двигателями.

Генеральный директор Infineon, Йохен Ханебек, отметил: "Этот технологический прорыв станет переломным моментом для отрасли и позволит нам раскрыть весь потенциал нитрида галлия. Почти год спустя после приобретения GaN Systems мы снова демонстрируем нашу приверженность лидированию на быстрорастущем рынке GaN. Как лидер в области энергосистем, Infineon обладает компетенциями во всех трех ключевых материалах: кремнии, карбиде кремния и нитриде галлия. "

На торгах в Германии акции Infineon стоили 28,89 евро, что отражает рост на 1,30 процента.

.

gan infineon 300 диаметром пластин галлия производства нитрида

2024-9-11 17:27